聯(lián)華電子7月20日宣布，用于AMD旗艦級(jí)繪圖卡Radeon? R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，此產(chǎn)品屬于AMD近期上市的Radeon? R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon? R9 Fury X GPU采用了聯(lián)華電子TSV制程以及晶粒堆棧技術(shù)，在硅中介層上融合鏈接AMD提供的HBM DRAM高帶寬內(nèi)存及GPU，使其GPU能提供4096位的超強(qiáng)內(nèi)存帶寬，及遠(yuǎn)超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)達(dá)4倍的每瓦性能表現(xiàn)。
AMD提供的GPU與HBM堆棧晶粒，皆置放于聯(lián)華電子TSV制程的中介層上，通過(guò)CMOS線路重布層（redistributionlayer）與先進(jìn)的微凸塊（micro-bumping）技術(shù)，這些芯片之間可于中介層彼此連通，因此得以實(shí)現(xiàn)AMD Radeon? R9 Fury X絕佳的效能與位面積。AMD的TSV硅中介層技術(shù)系于聯(lián)華電子位于新加坡的12吋特殊技術(shù)晶圓廠Fab12i制造生產(chǎn)。
